【GD】兆易创新 NOR FLASH 促销活动

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发表于 2016-12-16 12:34:15 | 显示全部楼层 |阅读模式
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【GD】兆易创新 NOR FLASH 促销活动 产品介绍: GD25Q41BTIG GD25Q80CSIGR GD25Q80CTIGR GD25Q64CSIG 数据手册: GD25Q80CSIGR 介绍 GD25Q80C(8M位)串行闪存支持标准的串行外设接口(SPI),并支持 双/四SPI:串行时钟,片选,串行数据I / O0(SI),I / O1(SO),I / O2(WP#)和I / O3(HOLD#)。 双I / O 数据以240Mbits / s的速度传送,并且四路I / O和四路输出数据以480Mbits / s的速度传送。 特点 ◆8M位串行闪存◆编程/擦除速度 -1024K字节 - 页面编程时间:典型值为0.6ms -256字节/可编程页面 - 擦除时间:典型45ms -Block擦除时间:0.15 / 0.25s典型 ◆标准,双路,四路SPI - 芯片擦除时间:4s典型 - 标准SPI:SCLK,CS#,SI,SO,WP#,HOLD# - SPI:SCLK,CS#,IO0,IO1,WP#,HOLD#◆灵活的架构 - 四位SPI:SCLK,CS#,IO0,IO1,IO2,IO3 - 4K字节的控制器 - 32 / 64k字节的块 ◆高速时钟频率 -120MHz,可快速读取30PF负载◆低功耗 - I / O数据传输高达240Mbits / s -20mA最大有功电流 - 四路I / O数据传输高达480Mbits / s -1uA最大掉电电流 ◆软件/硬件写保护◆高级安全特性(1) - 通过软件保护所有/部分内存-128位每个设备的唯一ID - 启用/禁用WP#引脚-4 * 256字节安全寄存器与OTP锁保护 - 顶部或底部,扇区或块选择 - 可发现参数(SFDP)寄存器 ◆循环耐久性◆单电源电压 - 最少100,000个编程/擦除周期 - 全电压范围:2.7〜3.6V ◆数据保留 -20年数据保留典型 框图 数据手册:
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