Diodes推出DMN61D8LVTQ双通道电感负载驱动器

2015-9-24 13:56| 发布者: admin| 查看: 500| 评论: 0|来自: Diodes官网

摘要: DMN61D8LVTQ电感负载驱动器利用低侧电路配置免除了对续流二极管的需求,这种配置使用反向齐纳二极管,提供内部MOSFET的有源过压漏极箝位。

Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出DMN61D8LVTQ双通道电感负载驱动器,适用於汽车电感负载开关应用,包括窗户、门锁、天线继电器、螺线管及小型直流电机。片上集成式齐纳二极管和偏置电阻器可排除对多个外部元件的需求,有效节省成本及缩减印刷电路板占位面积。

电感负载开关一般需要续流二极管来抑制在开关启动时出现的电压尖峰,而DMN61D8LVTQ电感负载驱动器则利用低侧电路配置免除了对续流二极管的需求。这种配置使用反向齐纳二极管,提供内部MOSFET的有源过压漏极箝位。只要确保箝位电压设定在低于MOSFET的雪崩击穿电压,就可防止MOSFET受到破坏性瞬态电压的损害。

由标准逻辑器件、微控制器及现场可编程门阵列直接驱动的输入有效简化系统设计。这些输入具有由位置较远的齐纳堆叠提供的防静电能力。MOSFET以60V漏-源电压 (VDS) 及最高达±12V的栅-源电压 (VGS) 设定额定值。

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